Инвентаризация:2106

Технические детали

  • Пакет/кейс 22-PowerBSOP Module
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 98A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 41.5A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 384W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 14.9mA
  • Пакет устройств поставщика PG-HDSOP-22
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 0V, 18V
  • ВГС (Макс) +23V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 750 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2869 pF @ 500 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


IGBT

Инвентаризация: 414

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 607

Top